收藏本站
SiR472DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
45
36
27
Package Limited
1 8
9
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
40
2.5
2.0
30
1.5
20
1.0
10
0.5
0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Case
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 68897
S-82488-Rev. C, 13-Oct-08
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIR474DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SIR494DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 8SOIC
SIR67-21C/TR8 LED IR TOP FLAT WATER CLEAR SMD
SIR698DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 100V(D-S)POWERPAK
SIR800DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
SIR802DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC
SIR826DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK
SIR844DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SIR474DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIR474DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 20A 29.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR476DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR482DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR484DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIR484DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 20A 29.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR492DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SIR492DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube